قسمت سوم

باياسينگ ديود:

تغذيه DC يك عنصر مانند ديود را باياس كردن آن مي گويند.

باياس يك ديود به دو صورت انجام مي شود:

باياس مسقيم: در باياس مستقيم قطب مثبت منبع تغذيه به آند ديود و قطب منفي تغذيه به كاتد ديود متصل مي شود.

باياس معكوسك در باياس معكوس تغذيه ديود به صورت مخالف انجام مي گيرد.

نحوه جابه جايي بارهاي الكتريكي يا به عبارت ديگر عامل هاي اقليت و اكثريت در باياس مستقيم ديود:

در حقيقت ولتاژ خروجي باعث تضعيف شدت بارهاي الكتريكي در ناحيه تهي (تخليه) باعث كاهش سد پتانسيل مي شود و راه را براي نفوذ حفره ها از نيمه هادي P به N و نفوذ الكتون هاي آزاد از نيمه هادي N بهP را هموار مي سازد به تعبير ديگر قطب منفي منبع الكترون هاي آزاد را از خود دور نموده به و طرف محل پيوند مي فرستد همين طور حفره هاي ناحيه P تحت تأثير دافعه پتانسيل مثبت به سمت ناحيه پيوند انتشار ميابد با نزديك شدن ولتاژD به پتانسيل تماس V0 نفوذ حفره ها از طرف P بهN و انتشار الكترون هاي آزاد در جهت مخالف شروع مي شود با افزايش ولتاژ انتشار حامل ها شدت بيشتري گرفته و جريان افزايش ميابد با توجه به اينكه جهت انتشار الكترون هاي آزاد در خلاف جهت انتشار حفره ها است جريان الكتريكي ناشي از آن ها هم جهت بوده و جريان كامل مدار برابر مجموع جريان انتشاري حفره ها و الكترون هاي آزاد خواهد بود ازدياد ولتاژ خارجي Vd ازمقدار V0 باعث افزايش نمايي جريان و در نتيجه افزايش سريع افت ولتاژ روي نمايي خنثي مي شود افزايش اين افت ولتاژ به نوبه خود موجب مي شود كه ولتاژ ناحيه پيوند مقداري مثبت باقي بماند اين بدان معني است حتي در باياس مستقيم ولتاژ سدي پتانسيل كاملا به صفر نمي رسد به بيان ديگر در اين حالت عرض ناحيه تهي هر چند كه بسيار كوچك است باز هم صفر نمي شود همان طور كه ملاحضه كرديد در باياس مستقيم جريان پيوند PN را عمدتاً حامل هاي اكثريت تشكيل مي دهند ناگفته نماند كه حفره هاي طرف P پس از تزريق به ناحيه N در ناحيه حامل اكثريت نيستند به همين دليل اين حفره هاي تزريقي را در ناحيه N حامل هاي اقليت اضافي مي نامند همچنين به الكترون هاي آزاد شده از طرف N به ناحيه P را حامل هاي افليت هاي اقليت اضافي اين ناحيه مي گويند.

باياس معكوس: در باياس معكوس چنان چه جاي قطب هاي منبع را تغيير دهيم (در اين حالت Vr ناميده مي شود را عوض كنيم) يعني طرف N را به طرف خود جذب نموده وآنها را از محل پيوند دور مي كند همچنين قطب منفي منبع باعث جذب حفره هاي ناحيه P از محل پيوند مي شود و بدين ترتيب عرض ناحيه تهي افزايش ميابد در اين حالت جهت ولتاژ منبع طوري است كه باعث تقويت شدت ميدان الكتريكي در ناحيه تهي و در نتيجه افزايش ارتفاع سد پتانسيل پيوند مي شود.و از نفوذ حامل هاي اكثريت نيمه هادي P يعني حفره ها به سمت راست و همچنين انتشار حامل هاي اكثريت نيمه هادي N يعني الكترون هاي آزاد به سمت چپ پيوند جلو گيري مي كند بنابر اين در اين حالت جريان حامل هاي اكثريت صفر بوده و فقط حامل هاي اقليت مي توانند به سادگي از محل پيوند عبور نمايد با افزايش ولتاژ معكوس r جريان حامل هاي اقليت از مقدار صفر شروع به افزايش نموده و سريعاً به حداكثر مقدار خود مي رسد حداكثر اين جريان معكوس را جريان اشباع معكوس پيوند گويند كه مقدار آن بسيار كوچك بوده با افزايش ولتاژ معكوس قبل از شكست پيوند تغييري نمي كند بايد در نظر داشت حامل هاي اقليت تحت تأثير عواملي از قبيل دما، تابش ،نور و... عوامل مذكور باعث تغيير جريان اشباع معكوس پيوند مي شود.

نظرات شما عزیزان:

نام :

آدرس ایمیل:

وب سایت/بلاگ :

متن پیام:

نظر خصوصی

 کد را وارد نمایید:

 

 

 

عکس شما

آپلود عکس دلخواه: